母猫在临近分娩时，天津投产会变现出局促不安，并且寻找分娩的场所，建议主人多准备几个产房。

为了理解观察到的实验现象，国家工程研究团队进一步对V掺杂的单层MoS2和V掺杂的双层MoS2进行了第一性原理计算。不同于单层情况，中心V掺杂在双层MoS2的价带顶附近引入了大量间隙态（gap states）。

计算结果表明，伏输V掺杂会在单层MoS2的带隙中引入了主要由V-3d轨道（以及Mo-4d轨道）形成的缺陷能级，伏输在实空间中这些电子态的局域化程度很高，因此不参与导电（如图2a-b所示）。过渡金属硫族化合物（MX2，变电M=过渡金属，X=硫族元素）因其独特和丰富的物理性质成为二维材料研究领域最受关注的材料家族之一。天津投产该工作有望为层间相互作用调控研究提供一种新思路。

国家工程图1.（a）器件结构示意图和（b）器件光学照片图。物理学院博士生张利利和南方科技大学博士生王刚及张玉波博士为论文共同第一作者，中心缪峰教授、中心梁世军副研究员和南方科技大学物理系林君浩副教授为该工作的共同通讯作者，该工作同时得到了南京大学万贤纲教授课题组和南方科技大学张文清教授的帮助，和国家杰出青年科学基金、国家自然科学基金等项目的资助，以及微结构科学与技术协同创新中心的支持。

在实验中，伏输研究团队首先利用MoO3和V2O5之间的固相反应制备出了Mo6V9040，作为钒（V）掺杂MoS2的前驱体。

通过低压球差校正透射电镜和拉曼等表征手段证实了V原子通过随机取代Mo原子位成功实现对MoS2的掺杂，变电且发现上下层材料之间存在一个掺杂浓度差。而目前的研究论文也越来越多地集中在纳米材料的研究上，天津投产并使用球差TEM等超高分辨率的电镜来表征纳米级尺寸的材料，天津投产通过高分辨率的电镜辅以EDX,EELS等元素分析的插件来分析测试，以此获得清晰的图像和数据并做分析处理。

近日,Ceder课题组在新型富锂材料正极的研究中（Nature2018,556,185-190）取得了重要成果，国家工程如图五所示。限于水平，中心必有疏漏之处，欢迎大家补充。

伏输Fig.3Collectedin-situTEMimagesandcorrespondingSAEDpatternswithPCNF/A550/S,whichpresentstheinitialstate,fulllithiationstateandhighresolutionTEMimagesoflithiatedPCNF/A550/SandPCNF/A750/S.材料物理化学表征UV-visUV-visspectroscopy全称为紫外-可见光吸收光谱。目前材料的形貌表征已经是绝大多数材料科学研究的必备支撑数据，变电一个新颖且引人入胜的形貌电镜图也是发表高水平论文的不二法门。